WNSC5D04650D6J

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单二极管
WeEn Semiconductors Co., Ltd
DIODE SIL CARBI
卷带式 (TR)
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单二极管
WeEn Semiconductors Co., Ltd
DIODE SIL CARBI
卷带式 (TR)
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产品参数
类型描述
制造商WeEn Semiconductors Co., Ltd
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F138pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)4A
供应商设备包DPAK
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)650 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.7 V @ 4 A
电流 - 反向漏电流@Vr20 µA @ 650 V
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