SIRS700DP-T1-RE3

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SIRS700DP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
卷带式 (TR)
0
: $2.0099
: 0

6000

$2.0099

$12,059.4000

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SIRS700DP-T1-RE3
SIRS700DP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
卷带式 (TR)
0
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
包裹卷带式 (TR)
产品状态DISCONTINUED
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Ta), 127A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)7.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs130 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds5950 pF @ 50 V
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