SIR516DP-T1-RE3

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SIR516DP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
卷带式 (TR)
6000
: $0.7979
: 6000

1

$1.7675

$1.7675

10

$1.4645

$14.6450

100

$1.1716

$117.1600

500

$0.9898

$494.9000

1000

$0.8383

$838.3000

3000

$0.7979

$2,393.7000

6000

$0.7676

$4,605.6000

9000

$0.7373

$6,635.7000

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SIR516DP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
卷带式 (TR)
6000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs8mOhm @ 10A, 10V
功耗(最大)5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)7.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs27 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1920 pF @ 50 V
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