SIR182LDP-T1-RE3

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SIR182LDP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 60-V
卷带式 (TR)
4361
: $0.8383
: 4361

1

$1.8584

$1.8584

10

$1.5453

$15.4530

100

$1.2322

$123.2200

500

$1.0403

$520.1500

1000

$0.8787

$878.7000

3000

$0.8383

$2,514.9000

6000

$0.8080

$4,848.0000

9000

$0.7777

$6,999.3000

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SIR182LDP-T1-RE3
SIR182LDP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 60-V
卷带式 (TR)
4361
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C31.7A (Ta), 130A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.75mOhm @ 15A, 10V
功耗(最大)5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs84 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds3700 pF @ 30 V
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