SIHK085N60EF-T1GE3

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SIHK085N60EF-T1GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
EF SERIES POWER
卷带式 (TR)
2000
: $3.6966
: 2000

1

$6.9488

$6.9488

10

$5.9590

$59.5900

100

$4.9591

$495.9100

500

$4.3834

$2,191.7000

1000

$3.9390

$3,939.0000

2000

$3.6966

$7,393.2000

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SIHK085N60EF-T1GE3
SIHK085N60EF-T1GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
EF SERIES POWER
卷带式 (TR)
2000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列EF
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerBSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 17A, 10V
功耗(最大)184W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK®10 x 12
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs63 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2733 pF @ 100 V
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