SIHH105N60EF-T1GE3

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SIHH105N60EF-T1GE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
EF SERIES POWER
卷带式 (TR)
3049
: $6.6660
: 3049

1

$6.6660

$6.6660

10

$5.5954

$55.9540

100

$4.5349

$453.4900

500

$4.0299

$2,014.9500

1000

$3.4441

$3,444.1000

3000

$3.2421

$9,726.3000

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单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
EF SERIES POWER
卷带式 (TR)
3049
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C26A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs105mOhm @ 13A, 10V
功耗(最大)174W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 8 x 8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs50 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2099 pF @ 100 V
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