SIDR608EP-T1-RE3

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SIDR608EP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 45 V
卷带式 (TR)
0
: $1.1514
: 0

1

$2.5654

$2.5654

10

$2.1311

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$9,635.4000

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SIDR608EP-T1-RE3
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 45 V
卷带式 (TR)
0
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.2mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.3V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8DC
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)+20V, -16V
漏源电压 (Vdss)45 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs167 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds8900 pF @ 20 V
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