RMD0A8P20ES9

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RMD0A8P20ES9
FET、MOSFET 阵列
Rectron USA
MOSFET 2P-CH 20
卷带式 (TR)
18000
: $0.0909
: 18000

3000

$0.0909

$272.7000

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FET、MOSFET 阵列
Rectron USA
MOSFET 2P-CH 20
卷带式 (TR)
18000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Rectron USA
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型Surface Mount
配置2 P-Channel (Dual)
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大800mW (Ta)
漏源电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C800mA (Ta)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds87pF @ 10V
Rds On(最大)@Id、Vgs1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs0.0018C @ 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 250µA
供应商设备包SOT-363-6L
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