ICE20N60W

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ICE20N60W
单 FET、MOSFET
IceMOS Technology
Superjunction M
管子
990
: $3.0199
: 990

30

$3.0199

$90.5970

150

$2.8381

$425.7150

600

$2.5856

$1,551.3600

1020

$2.3836

$2,431.2720

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ICE20N60W
ICE20N60W
单 FET、MOSFET
IceMOS Technology
Superjunction M
管子
990
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IceMOS Technology
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs190mOhm @ 10A, 10V
功耗(最大)236W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.9V @ 250µA
供应商设备包TO-247
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs59 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2064 pF @ 25 V
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