GC11N65M

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GC11N65M
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
卷带式 (TR)
4000
: $0.8383
: 4000

1600

$0.8383

$1,341.2800

8000

$0.7979

$6,383.2000

16000

$0.7676

$12,281.6000

32000

$0.6969

$22,300.8000

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GC11N65M
GC11N65M
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 650
卷带式 (TR)
4000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列Cool MOS™
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C11A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs360mOhm @ 5.5A, 10V
功耗(最大)78W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-263
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
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