G700P06T

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G700P06T
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60V
管子
3000
: $0.2222
: 3000

2000

$0.2222

$444.4000

6000

$0.2121

$1,272.6000

16000

$0.2121

$3,393.6000

30000

$0.1919

$5,757.0000

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G700P06T
G700P06T
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 60V
管子
3000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C25A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs70mOhm @ 4A, 10V
功耗(最大)100W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包TO-220
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
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