G4616

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G4616
FET、MOSFET 阵列
Goford Semiconductor
MOSFET N/P-CH 4
卷带式 (TR)
40000
: $0.1515
: 40000

4000

$0.1515

$606.0000

16000

$0.1414

$2,262.4000

32000

$0.1313

$4,201.6000

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G4616
G4616
FET、MOSFET 阵列
Goford Semiconductor
MOSFET N/P-CH 4
卷带式 (TR)
40000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大2W (Tc), 2.8W (Tc)
漏源电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc), 7A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On(最大)@Id、Vgs20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
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