G2312

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G2312
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 20V
卷带式 (TR)
90000
: $0.0404
: 90000

3000

$0.0404

$121.2000

15000

$0.0303

$454.5000

30000

$0.0303

$909.0000

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G2312
G2312
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET N-CH 20V
卷带式 (TR)
90000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs18mOhm @ 4.2A, 10V
功耗(最大)1.25W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 250µA
供应商设备包SOT-23
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±12V
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