G04P10HE

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G04P10HE
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH ESD
卷带式 (TR)
20000
: $0.1414
: 20000

2500

$0.1414

$353.5000

15000

$0.1313

$1,969.5000

30000

$0.1212

$3,636.0000

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G04P10HE
G04P10HE
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH ESD
卷带式 (TR)
20000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-261-4, TO-261AA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C4A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs200mOhm @ 6A, 10V
功耗(最大)1.2W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.8V @ 250µA
供应商设备包SOT-223
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
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