FK4B01120L

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FK4B01120L
单 FET、MOSFET
Nuvoton Technology Corporation
SINGLE NCH MOSF
卷带式 (TR)
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: $0.5252
: 0

20000

$0.5252

$10,504.0000

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FK4B01120L
FK4B01120L
单 FET、MOSFET
Nuvoton Technology Corporation
SINGLE NCH MOSF
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Nuvoton Technology Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱4-XFLGA, CSP
安装类型Surface Mount
工作温度150°C
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.9A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs24mOhm @ 1.5A, 4.5V
功耗(最大)370mW (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 394µA
供应商设备包4-CSP (1x1)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)1.5V, 4.5V
Vgs(最大)±8V
漏源电压 (Vdss)12 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs7 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds490 pF @ 10 V
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