BY25Q80BSTIG(R)

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BY25Q80BSTIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
卷带式 (TR)
4000
: $0.1515
: 4000

1

$0.4444

$0.4444

10

$0.3737

$3.7370

25

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$1,575.6000

28000

$0.1313

$3,676.4000

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BY25Q80BSTIG(R)
BY25Q80BSTIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
8 MBIT, 3.0V (2
卷带式 (TR)
4000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小8Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O, QPI
存取时间7 ns
记忆组织1M x 8
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