BY25Q80AWSIG(T)

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BY25Q80AWSIG(T)
记忆
BYTe Semiconductor
8 MBIT, WIDE VC
管子
9500
: $0.2828
: 9500

1

$0.4444

$0.4444

10

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$0.1515

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BY25Q80AWSIG(T)
BY25Q80AWSIG(T)
记忆
BYTe Semiconductor
8 MBIT, WIDE VC
管子
9500
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小8Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.65V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率100 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页3ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7 ns
记忆组织1M x 8
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