BY25Q256FSSIG(R)

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BY25Q256FSSIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
256 MBIT, 3.0V
卷带式 (TR)
3975
: $1.4443
: 3975

1

$2.8785

$2.8785

10

$2.5856

$25.8560

25

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250

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1000

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$1.4443

$2,888.6000

6000

$1.3938

$8,362.8000

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BY25Q256FSSIG(R)
BY25Q256FSSIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
256 MBIT, 3.0V
卷带式 (TR)
3975
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小256Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率100 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O, QPI
存取时间7 ns
记忆组织32M x 8
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