BY25Q20BLAIG(R)

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BY25Q20BLAIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
2 MBIT, 1.8V (1
卷带式 (TR)
0
: $0.0909
: 0

50000

$0.0909

$4,545.0000

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BY25Q20BLAIG(R)
BY25Q20BLAIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
2 MBIT, 1.8V (1
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱6-XFDFN
安装类型Surface Mount
内存大小2Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.65V ~ 2V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率85 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包6-USON (1.2x1.2)
写入周期时间 - 字、页3ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间6 ns
记忆组织256K x 8
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