BY25Q128ESSIG(T)

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BY25Q128ESSIG(T)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
管子
9500
: $1.0100
: 9500

1

$1.4443

$1.4443

10

$1.2928

$12.9280

95

$1.0100

$95.9500

285

$0.9393

$267.7005

570

$0.8282

$472.0740

1045

$0.6565

$686.0425

2565

$0.6161

$1,580.2965

5035

$0.5858

$2,949.5030

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BY25Q128ESSIG(T)
BY25Q128ESSIG(T)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
管子
9500
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率120 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页60µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7.5 ns
记忆组织16M x 8
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