BY25Q128ASSJG(R)

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BY25Q128ASSJG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
卷带式 (TR)
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: $0.8282
: 0

4000

$0.8282

$3,312.8000

6000

$0.7878

$4,726.8000

10000

$0.7575

$7,575.0000

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BY25Q128ASSJG(R)
BY25Q128ASSJG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 105°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7 ns
记忆组织16M x 8
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