1N4937T/R

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1N4937T/R
单二极管
EIC Semiconductor, Inc.
DIODE GEN PURP
卷带式 (TR)
10000
: $0.0404
: 10000

5000

$0.0404

$202.0000

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1N4937T/R
1N4937T/R
单二极管
EIC Semiconductor, Inc.
DIODE GEN PURP
卷带式 (TR)
10000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商EIC Semiconductor, Inc.
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱DO-204AL, DO-41, Axial
安装类型Through Hole
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr)150 ns
技术Standard
电容@Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)1A
供应商设备包DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)600 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.2 V @ 1 A
电流 - 反向漏电流@Vr5 µA @ 600 V
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